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  • 第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
    10-29
  • 国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的还有原始创新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利,难以容忍长期“只投入,不产出”的现状。因此,以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。
    10-26
  • 从2020年起,第5代移动通信将开始广泛应用于生活,第四次工业革命的核心事业领域将飞速成长。这些领域的半导体需求将爆发式地增长。若能尽快消除威胁韩国半导体产业的环境因素,韩国今后也将在确保全球竞争力的同时由半导体产业来引领经济发展。
    10-25
  •   现任中芯国际独董的蒋尚义前(22)日出席研讨会发表全球半导体现况,并指出大陆要在半导体领域追赶差距不能只看芯片,而是要改良整体系统层面,先进的封装技术将成为当中关键。
    10-24
  • 从半导体大硅片供应链来看,设备及材料这块基本被美国、德国、日本、韩国等厂商所控制。日本企业尤为突出,在切、磨、抛设备及浆料、切削油等材料方面占据主导地位。
      
      国内大硅片领先企业——上海新阳曾透露,该企业12英寸大硅片生产线所用的拉晶炉主要采购自韩国、日本、德国,切割、研磨、抛光设备主要采购自日本,部分非关键设备采购自韩国和台湾。
      
    10-23
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